官微动静，12月24日，晶盛机电近日正在碳化硅（SiC）焦点配备范畴取得严沉冲破，12英寸单片式碳化硅外延发展设备成功交付全球头部SiC外延晶片出产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、其独创的垂曲分流进气方案，实现了晶圆概况温度高精度闭环节制、同时设备配备了从动化上/下料模块及一键从动PM辅帮功能，大幅提拔颗粒节制能力和效率。其利用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC供给，全面实现了国产化协同。外延晶片产物正在环节机能目标上表示优异：外延层厚度不服均性节制正在3%以内，不服均性节制正在8%以内，2mm×2mm芯片良率大于96%，已达到行业领先程度。